WIN半导体公司发布了一项新的pHEMT技术，扩大了其高度集成GaAs技术的投资组合。PIH0-03平台集成了单片PIN和垂直肖特基二极管，以及WIN的高性能0.1um假晶HEMT工艺，PP10。这种集成技术，PIH0-03，增加了一个高度线性垂直肖特基二极管，截止频率超过600GHz，…
WIN半导体公司发布了用于5G应用的0.45µm GaN功率工艺
WIN半导体公司扩大了其氮化镓(GaN)工艺能力，包括一种0.45 μ m门技术，支持当前和未来的5G应用。NP45-11 GaN-on-SiC工艺允许客户设计用于5G应用的混合Doherty功率放大器，包括大规模MIMO(多输入和多输出)无线天线系统。类似于宏蜂窝应用，MIMO基站…
WIN半导体公司改进了0.25µm氮化镓功率过程
WIN半导体公司(TPEx:3105)是世界上最大的纯化合物半导体代工企业，该公司发布了其0.25µm氮化镓技术的优化版本NP25，该技术提供了卓越的直流和射频晶体管性能。NP25是一种0.25µm栅GaN-on-SiC工艺，为用户提供了生产全集成放大器产品以及定制离散晶体管....的灵活性
WIN半导体为5G射频前端模块提供单芯片GaAs解决方案
WIN半导体公司正在使用其PIH1-10先进的GaAs平台，为5G前端模块提供完全集成的单芯片解决方案。PIH1-10工艺集成了单片PIN二极管，能够通过50GHz的电源开关，进入先进的100GHz ft伪晶HEMT平台。该技术具有优越的发射功率性能和较低的接收机噪声系数，可提高接收机性能。