WIN半导体公司扩大了其氮化镓(GaN)工艺能力，包括一种0.45 μ m门技术，支持当前和未来的5G应用。NP45-11 GaN-on-SiC工艺允许客户设计用于5G应用的混合Doherty功率放大器，包括大规模MIMO(多输入和多输入)
多输出)无线天线系统。与宏单元应用类似，MIMO基站经常将Doherty功率放大器与线性化技术结合，以满足当今无线基础设施对线性度和效率的要求。
GaN器件优于现有的LDMOS技术，提供卓越的效率、瞬时带宽和线性度，特别是在5G无线接入网络中使用的更高频段。
NP45-11技术支持从100 MHz到6GHz的功率应用，非常适合用于6GHz以下的5G应用，包括宏蜂窝发射机和MIMO接入点。这种分立晶体管工艺是环境坚固耐用的，结合了先进的水分保护，并符合JEDEC JESD22-A110偏压在55伏的HAST资格。结合WIN半导体公司的环保高压无源技术IP3M-01, NP45-11技术实现了低成本塑料封装的混合功率放大器。
NP45-11技术是在100mm的碳化硅衬底上制造的，工作在50伏的漏极偏压下。在2.7GHz频段，该技术提供7瓦/mm的饱和输出功率，18 dB线性增益和超过65%的功率增加效率，无谐波调谐。
“5G无线接入网络给MIMO系统中使用的功率放大器设计带来了一些挑战。高输出功率和线性效率是主要的设计目标，以满足性能规格和更低的总拥有成本。由于目前的无线调制方案采用高的峰值平均功率比，因此输出功率和线性化效率之间的权衡是非常重要的。在5G应用中，由于更高的瞬时带宽要求和更高的工作频率，这种权衡变得更加困难。”
NP45-11样品套装可用，可联系WIN的区域销售经理获取。
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