WIN半导体公司发布了一项新的pHEMT技术，扩大了其高度集成GaAs技术的投资组合。PIH0-03平台集成了单片PIN和垂直肖特基二极管，以及WIN的高性能0.1um假晶HEMT工艺，PP10。
这种集成技术，PIH0-03，增加了截止频率超过600GHz的高度线性垂直肖特基二极管，以及多功能PIN二极管，同时保留了PP10技术的最先进的毫米波性能。单片PIN和肖特基二极管与高性能毫米波晶体管的可用性，使广泛的功能在片上集成，包括混频器，温度/功率检测，限制器，高频开关，并支持功率，低噪声和通过100 GHz的光学应用。
这种集成技术为用户提供了增加片上功能的多种途径，并减少了用于各种终端市场的复杂多片模块的总体模具数量。除了高频开关外，单片PIN二极管还可用于低寄生电容ESD保护电路，并可作为片上功率限制器保护相控阵雷达中敏感的LNAs。垂直肖特基二极管可实现多种检测和混合功能，并可在独特的限制器应用中与PIN二极管结合。
“今天复杂的系统和高度竞争的市场要求增加mmWave的性能和每个芯片更多的功能。PIH0-03平台是WIN半导体如何通过提供高性能GaAs技术和新水平的多功能集成来满足这些关键市场需求的最新例子。为了满足下一代移动用户设备、无线基础设施、光纤和军事应用的不断增长的需求，WIN半导体继续将先进、高度集成的GaAs解决方案商业化，并为我们的客户提供明确的技术优势。”WIN半导体公司高级副总裁
赢得半导体公司。
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