WIN半导体公司(TPEx:3105)是世界上最大的纯化合物半导体代工企业，该公司发布了其0.25µm氮化镓技术的优化版本NP25，该技术提供了卓越的直流和射频晶体管性能。NP25是一种0.25µm栅GaN-on-SiC工艺，为用户提供了生产全集成放大器产品和定制离散晶体管的灵活性。在
自2014年生产以来，优化的0.25 μ m工艺提供了增强的射频性能，快速开关时间，更高的增益和提高的功率增加效率，通过ku波段的要求功率应用
优化后的NP25晶体管表现出更理想的DC和RF IV特性，并提供更高2db的最大稳定增益。在一定的调谐和偏置条件下，增益的增加直接导致更高的功率密度和PAE。这个性能优化的过程是完全合格的，并支持一个全面的设计工具包和晶体管模型。
WIN NP25技术是在4英寸碳化硅衬底上制造的，工作在28伏的漏极偏置。在10GHz时，NP25提供5瓦/毫米的饱和输出功率，19 dB线性增益和超过65%的功率增加效率。这些性能指标使NP25流程非常适合雷达、卫星通信和无线基础设施市场中的各种高功率、宽带宽和线性传输功能。
有NP25样品套装，可联系WIN的区域销售经理获取。
WIN半导体公司在欧洲微波2017
WIN半导体公司将于2017年10月8日至13日在德国纽伦堡举行的2017欧洲微波周上，在111B展台展示其复合半导体RF和mm-Wave解决方案
欲了解更多信息，请访问WIN半导体公司http://www.winfoundry.com/en_US/Index.aspx
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