CREE公司WolfSpeed继续其在硅碳化物（SIC）电力设备技术和包装中继续进行了创新，并引入了该行业的首个1700V SIC MOSFET。
高功率RD设备解决了TWT雷达问题
两个氮化甲酯（GAN）高电子迁移式晶体管（HEMT）有望使用传统的行驶波管（TWT）放大器解决雷达系统的几个长期问题。在50 V处运行的基于GAN的固态放大器不容易发生高压（KV）TWT电源的故障，因此具有更长的寿命。另外，这些转换器有…
小单元无线的Doherty PA参考设计
由于高数据速率应用程序对LTE无线网络造成了更大的压力，因此需要…需要…的创新解决方案，例如小型细胞基站（BTS）和载体聚合。
帖子小单元无线的Doherty PA参考设计首先出现模拟IC提示。
Cree Mosfet，Schottky二极管设计套件
Cree，Inc。推出了一个新的Cree Mosfet设计套件，其中包括可配置的Cree®Mosfet和Schottky二极管性能所需的所有组件…
新的Gan Hemt Power设备在50 V处工作
Cree，Inc。是全球碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN）晶圆和设备的供应商，已扩大其50V离散GAN高电子移动晶体管的家族…
SIC MOSFET的香料模型
Cree，Inc。通过发布新的香料模型扩大了公司对C2M系列SIC MOSFET Power设备的设计支持。快速准确，…
20-A SIC模块Targets15-KW 3相应用
Cree，Inc。（NASDAQ：CREE）扩展了屡获殊荣的硅碳化硅（SIC）1.2 kV六件板电源模块家族，具有新的20A全sic模块，非常适合5-15 kW…
Gan Hemts击中6 GHz
Cree，Inc。是全球碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN）的晶圆和设备的供应商，已开发了一个由50V离散的GAN高电子移动晶体管的家族…
半桥SIC电源模块处理1.7 kV
Cree，Inc。（NASDAQ：CREE）继续扩大其在硅卡比德（SIC）电力设备技术技术的领导地位，该行业在行业标准中发行了该行业的第一个全SIC，1.7 kV电源模块…
SIC MOSFET会为太阳能逆变器供电
Cree，Inc。（NASDAQ：CREE）宣布，日本Sanix Corporation已选择其C2M™，1200V，80MOHM SIC MOSFET，将其设计为新的9.9kW三相…
新的Cree Power模块破坏价格绩效障碍
Cree的硅卡比德（SIC）技术继续使用新的All-SIC 300A，1.2KV半桥模块，使较小，更轻，更高效，更低的功率系统能够实现。包装在行业标准62毫米外壳中，…
Cree推出了行业的第一个商业硅碳化物
新的MOSFET被指定为C2M0025120D，预计将在PV逆变器，高压DC/DC转换器，感应加热系统，EV充电系统和医疗CT中广泛采用。
所有SIC三相动力模块减轻常规设计约束
在许多部分设计中，减少能源消耗至关重要。该商业上可用的硅碳化物（SIC）六件件电源模块CCS050M12CM2在行业标准45毫米套件中。作为替代具有同等评级的硅模块，该模块可以将功率损耗降低75％，从而将散热器的大小降低70％…