克里公司扩展公司设计支持C2MSeriesSicMOSFET电源设备并发布一个新的SPICE模型
快速精度新模型有效展示克里SICMOSFETs — — 包括C2M0025120D设备 — — 的好处,该设备最近通过电路模拟提供1200V阻塞电压25MOHMS电路设计师使用这一新SPICE模型很容易利用SIC的好处,包括交换频率达IGBT解决方案10倍以上,使小磁和电容分量小化并随后缩小电量电子系统的整体大小、权值和成本
电转换器必须专门为SIC设备重新设计,以充分利用SIC技术的所有益处SIC MOSFET系统特征不同于硅设备,因此需要SIC专用模型来精确电路模拟克里基于行为和依赖温度SPICE模型提供精确模拟结果而不损速并包括自热瞬态热能力25摄氏度至150摄氏度交叉温度有效,模型允许电动电子设计工程师可靠模拟克里语C2M产品高级切换性能
C2M SISFETSPICE模型组扩展Crie全套设计辅助工具、技术文档和可靠性信息,为电工提供必要的设计资源,将SIC电机安装进下一代电源系统
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