克里化碳化物(SiC)和硝化物(GaN)和装置的全球提供商Cire开发出50V离散GaN高电子运动晶体管(HEMT)组死至6GHz新建40WCGHV60040D和170WCGHV60170D表示市面上唯一50VBARGANHEM死亡,现可用购买50V20W评分达6GHz运算和50V320W评分4GHz运算
克里新0.4m和50VGANHEMT死向混合放大器设计师提供更高增益和效率,同时运行广频瞬时带宽,为ilicon技术与cli展览17db典型小信号增益6GHz和18dB典型小信号增益4GHz除65%典型加电效率外,新50V、40W和170WGANHEMT死亡设计用于AB线性放大器适合线性应用、脉冲应用和CW应用
克里族50VGANHEMT死后由Gel-PakQVacum释放盘提供,该盘非薄膜固定组件以确保无损交通存储新发布产品顺序倍数为10GANHEMT每Gel-Pak托盘死亡
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