Crieccoide和criumnitride设备全球提供商HEMT扩展了50V离散GaN高电子运动晶体管家族,死时释放三大新组件:20W6GHz死75W6GHZ死320W4GHz死由五人死亡组成, 头二人今年9月被释放, 家庭仍代表唯一50VBORGANHEMT公开市场死亡
克里TMs家族0.4m,50VGANHEMT死向混合放大器设计师提供更高增益、效率与电密度,同时操作广频瞬时带宽,为硅和砷化技术提供有效替代物额外性能收益包括高分解电压、热传导性能和饱和电子流速
设计运行达6GHz20W40W75W170W50VGANHEMT新建20W和75W宜配双向专用无线电机、宽带放大器、手机基础设施、测试仪表仪和A类线性放大器40W死法也可以用于手机基础设施,170W死法可以用于战术和卫星通信以及宽带、工业、科学和医学放大器
320W50VGANHEMT死亡显示19dB典型小信号增益和65%典型4GHZ加电效率和170W死法一样,它也完全适合用于策略通信和卫星通信以及宽带、工业、科学和医学放大器外加当前产品大全中所有50V都最理想AB线性放大器使用
克里TMs 50VGANHEMT死时用Gel-PakQVacum释放盘提供,该盘非薄膜固定组件以确保无损交通存储顺序倍数为10GANHEMT每Gel-Pak托盘死亡
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