集成器件技术有限公司®(踊跃参与®)推出了业界首个单刀双掷(SPDT)射频开关，具有正在申请专利的kz恒阻抗技术。的踊跃参与F2923是一种低插入损耗SPDT吸收射频开关，设计用于多种射频应用，包括基站(2G、3G、4G、5G)、无线回程、有线电视和便携式手持设备。
KZ特性在RF端口之间切换时控制所有端口阻抗，保持返回损耗。没有KZ的标准开关在开关射频路径时产生大的电压驻波比(VSWR)瞬态，因为开关的阻抗在开关事件中没有得到很好的控制。驻波比瞬态会降低系统性能和可靠性。在不同的动态或“热切换”场景下，KZ的好处包括:
- 减少TDD系统中Tx/Rx合成器的抽取和恢复时间
- 避免在两个射频元件(如pa、驱动器和LNAs)之间切换时产生损坏和错误诱导的瞬态。
- 当切换配电网(如3db耦合器或4路分路器)的路径时，尽量减少未切换路径上的暂态幅值和相位误差
IDT RF部门总经理Chris Stephens表示:“通过这一最新的SPDT开关，我们突出了我们的新KZ技术，以显著提高热开关性能。“F2923再次证明了IDT在系统开发者渴望的核心射频创新方面的领导地位。”
除了KZ技术，该设备还提供:
- 在2GHz时，插入损耗仅为0.48dB
- IIP3大于66dBm @ 2GHz
- 行业领先的2ghz隔离74 dB
IDT的创新KZ技术覆盖从300kHz到8000MHz的广泛频率范围，确保设备在从一个射频端口切换到另一个射频端口时提供接近恒定的阻抗(驻波比< 1.4:1，而标准开关为9:1)，同时不损害隔离、线性或插入损耗。F2923采用3.3V的单正电源电压，并支持标准的1.8V和3.3V控制逻辑电平。
可用性
F2923开关取样和来在一个4 × 4毫米20-TQFN包装。
集成设备技术公司
www.IDT.com
《华盛顿邮报》SPDT射频开关具有插入损耗低的特点第一次出现在模拟集成电路提示．
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