ON Semiconductor通过Ultra Field Stop trench技术进一步扩展了IGBT产品

ON半导体公司推出了一系列新的绝缘栅双极晶体管(igbt)，使用其专有的Ultra Field Stop trench技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG旨在提供更高水平的操作性能，以满足现代交换应用(Ets)的严格要求。这些1200v器件能够实现总开关损耗特性;性能的改善部分归功于高激活的场阻层和优化的共封装二极管。

NGTB40N120FL3WG的Ets为2.7 mJ，而NGTB25N120FL3WG的Ets为1.7 mJ。在各自的额定电流下，这两种器件的VCEsat均为1.7 V。NGTB40N120L3WG优化为低导损，在额定电流下VCEsat为1.55 V, Ets为3 mJ。新的Ultra Field Stop产品与一个快速恢复二极管共同封装，具有软关断特性，仍然提供最小的反向恢复损失。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常适合用于不间断电源和太阳能逆变器，而NGTB40N120L3WG主要用于电机驱动。

包装和定价

NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG均以符合rohs标准的TO - 247包装提供，每件10,000件的价格分别为2.02美元、1.76美元和2.12美元。

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