在这个问题上:
2电源设计中的难点问题
8撕裂：Insea的智能LED灯泡内
28热管理中热敏电阻的基础知识
43如何智能选择风机进行强制风冷
电源设计中的难点问题
年度仪式发生在电力电子世界的上部梯队中。在应用的电力电子会议上（APEC），考虑了一个主要的应用电力电子论坛，研究人员为电源转换器提供了新的想法。通常，这些想法既不直接也不容易理解。他们通常没有任何直观。因此，其他研究人员在这些概念中呼吸的研究人员在随后的12个月内花了很多时间，其特征在于APEC中提到的最有前途的拓扑和电路。在亚太经合组织举行的一年中，会议队员可以开始真正了解原始电路在提出新结果时的表现方式。
这一仪式是APEC享有论坛美誉的原因之一，与会者可以分析棘手的技术问题。在这方面，今年即将召开的亚太经合组织会议有几个领域值得一提。
其中一个涉及有希望的碳化硅MOSFET领域。Ljubisa Stevanovic，CTO在GE Global Research的碳化硅工作中，将讨论GE已经为Megawatt-Scal Industrial应用程序设计的SIC设备。“应用SiC的最艰难的部分是它不是硅IGBTS的一个替代品，”Stevanovic说。“所以你不能只需从太阳能逆变器中取出IGBT并插入SIC MOSFET。您需要利用IGBT而不是更换IGBT，而是利用开关速度SiC晶体管可以提供。“
斯特瓦诺维奇将在亚太经合组织会议上讨论的一件事是基于2.5 kHz硅igbt开关的太阳能逆变器，使用工作在8 kHz的SiC mosfet进行重铸。由此产生的逆变电路更简单，部分原因是SiC版本只需要两级桥，而硅版本需要三级桥。“igbt通常迫使你使用一个三层桥。SiC器件的速度比igbt快十倍，损耗也差不多。这种切换速度让他们在更少的过滤下操作。
与会者还可以从PowerAmerica的CTO和临时副主任Victor Veliadis博士那里了解SiC, PowerAmerica是一家致力于先进功率转换技术的DoE制造机构。Veliadis和他的PowerAmerica同事将介绍他们在设计SiC器件时所克服的一些困难，并讨论SiC电路与使用传统硅晶体管的电路相比有何优势。他说:“很多困难涉及到获取SiC专用的工艺，并将它们从研发演示转化为实际的制造工艺。”
APEC对努力转换器拓扑的讨论的声誉也将从Microchip Technology Inc的两种应用工程师Joel Steenis和Alex Dumais的演示中获得一些强化，他们将涵盖如何设计全数字LLC谐振转换器。“这绝对是一个具有挑战性的拓扑，”杜阿斯说。“今天的最大问题正在建模。Joel完成了几个月的准确建模研究，因此工程师可以设计自己的转换器。
问题是LLC电路的行为方式不适合状态空间平均建模，这是一种非常常见的方法。”
Dumais和Steenis表示，LLC转换器在为服务器和电信系统供电方面引起了人们的广泛兴趣，因为它们效率高，比替代产品使用的组件少。
这只是其中的一些亮点。种种迹象表明，亚太经合组织不缺乏对棘手问题的讨论。
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