AI Technology, Inc. (AIT)，的先驱技术自立模具粘合膜(DAF)胶粘剂刚刚增加了生产能力超过1000万平方英尺的ESP7660系列10微米厚的绝缘DAF内存堆叠芯片应用程序及其20微米厚ESP8660一系列导电DAF电力设备。
自20世纪90年代以来，美国在台协会（AIT）一直以制造高性能芯片附着膜粘合剂而闻名，该粘合剂用于堆叠超过20层的芯片，具有军事可靠性。现在，AIT的工程团队已经成功地实施了先进的DAF制造自动化生产线和先进的PLC控制，以更好地控制厚度和更高的产能。在洁净室环境下采用更高容量的生产线，代表着美国在台协会致力于为其国内以及亚洲半导体客户提供最佳产品。美国在台协会新的DAF生产线能够为新的450毫米晶圆技术制造DAF，该技术在未来几年将变得更加重要。
美国在台协会的科学家创造了ESP7660-HK和ESP8660-HK系列，以响应市场对更高玻璃化转变温度的需求，从而在高达250°C的温度下实现更快的引线键合，并在高达200°C的温度下进行成型操作。美国在台协会的ESP7660-HK和ESP8660-HK还提高了带有聚合物mol的堆叠芯片的大型设备的可靠性吸收粘结界面应力的ecular工程。此外，AIT的ESP7660-HK和ESP8660-HK在粘结和固化前提供了改进的薄膜完整性。通过这些发展，AIT率先为需要银的功率器件生产8-10微米绝缘DAF，即使是最大晶圆尺寸450毫米美国在台协会（AIT）的ESP8660-HK填充导电DAF已被证明可在20微米的厚度下工作。
AIT的DAF用于各种商业和军事应用，如医疗、射频和微波设备，以及存储设备的堆叠芯片组件。在许多应用中，需要非常薄的DAF来满足密集封装中堆叠芯片的高度。例如，在RF和MW器件中，DAF的厚度对于当前许多应用中所需的更高频率信号至关重要。在某些情况下，需要非常薄的DAF来增加散热器和设备之间的热导率。然而，如果薄膜胶粘剂变得太薄，就会形成空隙，产生较差的湿性，降低粘结强度和电性能。AIT的DAF不仅很薄，而且配方是无空隙的，因此粘结强度、导热性和电性能表现得和更厚的薄膜一样好或更好。
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