GaN Systems宣布了其新的半桥评估板，展示了其GaN增强模式功率半导体在真实功率电路中的性能。功能完备的GS66508T-EVBHB评估板可以轻松配置为任何半桥式拓扑结构，包括同步升压转换模式，以及脉冲切换来评估晶体管波形。伴随着快速入门指导指南和YouTube视频链接，评估板可以在几分钟内安装和使用。每个开发工具包都有完整的文档，包括材料清单组件部件编号，PCB布局和热管理，以及门驱动电路参考设计，以帮助系统工程师开发他们的产品。
该评估板旨在为电气工程师提供一个完整的工作功率级，由两个650 V, 30 a GS66508T GaN fet，半桥门驱动器，门驱动器电源和散热器组成。GS66508T大功率晶体管基于GaN Systems的专利岛技术，属于其650v高密度器件家族，实现了非常高效的功率转换，快速开关速度为>100 V/nS和超低的热损耗。GaN Systems是唯一一家开发并商业化了电压等级为100v和650v、电流等级为7a到250a的GaN功率晶体管综合组合的公司。利用GaN Systems的岛技术模具设计，结合极低的电感和GaNPX™封装热效率，GaN fet的开关和传导性能比传统硅mosfet和igbt提高了45倍。30 A / 50 mΩ GS66508T GaN功率晶体管顶部冷却，并具有接近芯片规模的热效率GaNPX封装。在1.5千瓦时，该设备的功率转换效率额定为98.7%，这个值可以在所有者的实验室中重现。
评估板提供输出功率电感和电容的占用率，因此用户可以将该板配置为所需的升压或降压操作模式。存取晶体管结温度由热电偶垫和热相机成像端口提供。电源输入应该是9 VDC到12 VDC，绝对最大值为15 V。板载稳压器为逻辑电路创建+ 5v，为门驱动器创建+6.5 V。评估委员会有三种工作模式:脉冲测试模式、降压/标准半桥模式和升压模式。
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