在传感器博览会上,Crocus Technology产品营销高级总监Wayne Seto讨论了该公司的隧道磁阻(TMR)磁传感技术。对于传感,TMR被用于许多不同的应用。Wayne演示了几种全极(CT832DM)、双极(CT852AN)、单极(CT832EK、CT832BV、CT832SK和CT811DK)和模拟(CT834DR)磁性数字锁存器。
对于数字闩锁的全极感测,CT832SK提供高灵敏度,CT832BV中敏感性和CT832EK低灵敏度。CT811DK启用单极,单向闩锁。相反,CT852AN双极闩锁在一个磁方向上打开,触头相反方向。使用CT832DM全日生子传感器,闩锁与任一磁铁打开或关闭。
CT834DR模拟传感器检测非接触式电流测量的磁场,并且演示在一系列步骤中显示了磁体在任一方向上的接近。
与霍尔效应传感器不同,Crocus'TMR采用专利磁逻辑单元(MLU)技术。MLU使TMR传感器产品具有高磁敏度,在宽温度范围和超低功耗上具有最小的变化。MLU技术的基础是薄膜磁隧道结(MTJ)装置。最简单的MTJ在薄绝缘层的两侧上由两个磁性层组成:一层具有固定磁矩,另一层可以在磁场的存在下自由改变。
除了演示中显示的传感器外,Crocus Technology还提供旋转/速度传感器,响应高达45,000 rpm和角度传感器,精度优于2%。
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