通过安德鲁Zistler|2016年3月28日 完全合格的650 v GaN FET在TO-247封装中拥有41 mOhm R(on) transhorm公司推出了TPH3207WS GaN场效应晶体管(FET)，在TO-247封装中具有最低导通电阻(41 mOhm)，可减少系统体积高达50%… 电力电子的技巧
