transhorm公司推出了TPH3207WS GaN场效应晶体管(FET)，该晶体管在TO-247封装中具有最低导通电阻(41 mOhm)，在不牺牲效率的情况下将系统体积减少了50%。该器件的低Rds(开启)和超低Qrr (175nC)将GaN的优点应用到以前依赖硅的应用中，使工程师能够实现功率密集的解决方案，减少组件数量，提高高压电源转换应用的可靠性。
TPH3207在易于处理的级联配置中提高了系统的可靠性、性能和功率密度。这些优点在硬开关桥和连续导通模式(CCM)无桥图腾极功率因数校正(PFC)设计中得到了实现，这些设计被用于板载充电器、太阳能逆变器、电信电源和其他功率转换应用。transhorm的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)产品组合也得到了加强，在行业标准TO-220和PQFN封装中引入了TPH3208系列(130 mOhm)，进一步实现了氮化镓革命。
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