在铌酸锂薄膜上制成的微环和微跑道谐振器。图片来源:Loncar实验室/哈佛大学SEAS
哈佛大学研究人员开发了一种新技术蚀刻铌酸锂板以用于光电子。
铌酸锂特别适用于电光，声光和非线性光学器件，因为它大电光系数，但难以蚀刻。化学蚀刻将不起作用，所以已经尝试过其他方法，其中许多耗时。哈佛团队将血浆反应离子蚀刻施加到铌酸锂上，发现它有效地制造波导以及最小化光功率损耗。
等离子体反应离子蚀刻的第一步是用电子束光刻在光致抗蚀剂层上汲取波导的图案，与标准硅蚀刻相同。然后，这创造了一个可以放在铌泡膜上的掩模。氩离子散射在样品上（这是实际的等离子体反应离子蚀刻），剥离剥离材料，其中蚀刻并以这种方式形成波导。
“下一步是将铌酸盐集成到硅光子处理中，这可能是具有挑战性的，因为铌不是硅工业中人们非常喜欢的材料。也许我们将不得不转向专门的制造设备来实现这种混合电子集成，”Marko Lončar说，他是哈佛大学约翰·a·保尔森工程与应用科学学院的电气工程教授。“目前，我们必须分别制造铌芯片和硅芯片，并将它们连接在一起。”
该大学表示，即使没有这种流线型的过程，这种制造波导的技术也只会产生超过1米的光功率损耗50%。
在商业水平下制造它们的一些先例：用于等离子体反应离子蚀刻的薄膜基板是商业化的。
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