一个法国和美国的研究团队在MRAM技术上的新进展导致了一种多位存储范式，可能与闪存存储相媲美
华盛顿特区，2014年6月22日——由于对快速、低成本、非易失性、低消耗、安全的存储设备的需求，人们对磁性随机存取存储器(MRAM)的兴趣正在不断升级。MRAM依赖于控制材料的磁化而不是电子电荷来存储数据，作为一种新兴技术，它拥有所有这些优势，但到目前为止，它在存储密度方面还不能与闪存相比。
法国-美国联合出版的AIP出版社在《应用物理快报》杂志上发表了一篇文章。一个研究小组报告了一个有趣的新的多比特MRAM存储范式，有潜力与闪存竞争。
增加存储设备的密度是非常可取的，可以通过各种方法来实现。一种方法是减少图形维度，这将增加每个单元表面的存储单元数量。另一种方法是增加每个单元的存储容量——也就是“多位存储”。
“在MRAM技术中，多位存储通常是通过测量不同磁配置对应的多个电压水平来实现的，”该论文的第一作者、SPINTEC/CEA的博士生Quentin Stainer解释说，SPINTEC/CEA是位于法国格勒诺布尔的电子和信息技术研究所，也隶属于Crocus技术公司，这是一家位于法国和美国的公司，开发磁增强半导体技术。
该团队工作的核心是Crocus Technology公司的专有磁性逻辑单元(MLU)技术，该技术使研究人员能够远程控制传感器来探测这些配置。“通过识别我们获得的电响应的关键特征，通常被称为‘极值点’，我们可以推断存储的信息，”Stainer说。
他指出，他们工作的亮点是“我们方法的可行性得到了明确的证明，在110纳米宽的器件上，每单位细胞可获得3比特，最近达到4比特。”
值得注意的是，该团队表示，他们的存储模式应该能够提供更强的鲁棒性和对过程变化的容忍度，这将使基于该技术的设备更容易用于工业应用。
Stainer说:“我们的工作将使开发产品的应用范围更广，包括但不限于连接设备的安全数据存储，如智能卡、互联网路由器的内容寻址存储器，以及高性能、高密度和高温存储器。”
团队的下一步是什么?开发一个功能齐全的多比特MLU存储产品，以进一步证明他们的存储范式的工业可行性。他补充说:“从这项工作中衍生出的新的存储范式也在开发中——每单个细胞具有高达8位的潜在多比特容量。”
欲了解更多信息，请访问www.aip.org．
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