Wolfspeed是Cree公司和GaN-on- sic高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(mmic)的全球供应商，该公司推出了两种新型塑料封装的50V/60W GaN HEMT器件，在低成本封装平台上提供固有的GaN值的功率和带宽。提供微型(4.5mm x 6.5mm)，经济，塑料SMT封装，这些新设备是理想的LTE，小蜂窝基站收发站(BTS)，雷达，公共安全无线电和其他通信应用。
这个CGHV27060MP是一款50V/60W宽带GaN HEMT，具有线性和脉冲应用电路，无内部输入或输出匹配，可支持UHF至2.7GHz的宽频率范围。经2.5GHz测试，新型GaN HEMT非常适合平均功率为10–15W的LTE微型基站放大器和高效率拓扑，如Doherty或A类、B类和F类放大器。利用S波段雷达电路，该50V器件在脉冲功率下提供16.5dB增益、70%漏极效率和80W输出功率坐脉冲宽度为100μs，占空比为10%。下午14时大街，该器件提供18.5dB增益，35%的效率。这种微型塑料封装晶体管在高效放大器设计中也能提供65W的连续波输出功率。
输入时内部预匹配，输出时不匹配CGHV35060MP是一种50V/60W宽带GaN HEMT，设计用于2.7GHz至3.5GHz的工作。在3.3GHz下测试，该微型设备显示出14.5dB增益和67%的漏极效率，并针对S波段应用进行了优化，包括：天气、空中交通管制、海上、港口监视和搜索救援雷达应用。
此外，两种新型50V GaN HEMT均与行业标准数字预失真（DPD）校正方法兼容，以提高放大器效率，其微型（4.5mm x 6.5mm）塑料二次成型封装使其成为更大容量应用的经济解决方案。
Wolfspeed的GaN-on-SiC HEMTs采用0.4μm工艺在SiC衬底上制备，与硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比，该HEMTs具有更高的性能特性，包括更高的击穿电压、饱和电子漂移速度和热导率。Wolfspeed的GaN HEMTs也比Si、GaAs和GaN-on-Si晶体管提供更大的功率密度和更宽的带宽。
Mouser和Digi-Key目前正在接受订单，产品将于2015年12月前发货。有关批量定价，请联系Wolfspeed。
沃尔夫斯比
www.wolfspeed.com
《华盛顿邮报》Wolfspeed推出用于LTE和雷达的50V塑料GaN HEMT第一次出现在模拟集成电路贴片.
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