对于许多半导体制造应用，认为P沟道晶体管被认为是期望的，但它们的化学不稳定和差的电性能有限地限制了它们的使用。现在，科学家们东国大学发现了一种在室温下利用丰富且环保的碘化铜(I)半导体制造印刷p沟道薄膜晶体管的方法。他们对这些晶体管的节能和经济的制造方法可能导致低成本和新型光电器件的发展。
由Yong-Younh Noh教授领导的研究人员，专注于使用金属卤化物铜（I）碘化物（CUI）而不是金属氧化物的TFT开发P型透明半导体。“Cui的自然丰富和环保的宗工元素使其更适合大型印刷透明电子设备。更重要的是，Cui具有比其他基于p型氧化物的半导体更高的孔迁移率，“介绍。
然而，Cui几乎没有用作TFT的半导体，因为它的空穴浓度如此之高，因此它导致无法控制的电导率（晶体管通常意味着在高速上容易地打开和关闭，即它们是可切换的从导电到非导电状态）。此外，用于制造薄膜的标准溶液的处理通常需要称为“退火”的热处理，这是能量和耗时的。
研究人员发现，可以通过使cui基薄膜更薄来降低其导电性，从而适用于制造目前许多应用需要的性能的TFTs。此外，这些CuI薄膜根本不需要退火，可以在室温下进行加工。这节省了能源，提高了成本效益。
该团队测试了多种处理条件，并制造了各种不同的TFT，以确定增强装置性质的起源，并证明CUI作为薄膜P型半导体的潜在用途。“我们认为，这项工作为室温，低成本，印刷的透明P型晶体管为不同的光电器件开辟了FLOOLGATE，”NoH的总结道。
提交：产品设计
