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TI引入40-V至100-V NexFET mosfet

通过弗兰克•托比|2014年3月24日

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为了扩大其广受欢迎的NexFET产品组合,德州仪器(TI) (NASDAQ: TXN)推出了14个功率mosfet,在to -220和SON封装,支持输入电压从40 V到100 V。高效的nexfet包括40伏、60伏、80伏和100伏n沟道器件,为大电流电机控制和电源应用提供卓越的热性能。

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最低的导通力
两款新的80 v和100 v NexFET设备在TO-220封装中实现了行业最低的通阻,而不牺牲高栅极电荷,为设计人员在更高电流下提供了更高的功率转换效率。CSD19506在高达80v的输入电压下支持2.0毫欧姆的Rds(开启),而CSD19536在100 V的输入电压下支持2.3毫欧姆的Rds(开启)。这两种产品都具有高雪崩能力的塑料包装,以支持高应力电机控制应用。设计师还可以通过访问TI获奖的WEBENCH®在线设计工具,轻松选择新产品并模拟其电源设计。

易于使用的评估模块

  • TI还根据其60V NexFET产品推出了几种易于使用的评估模块 - 所有易于使用的评估模块 - 都可以在Ti Estore™中订购:
  • 步进电机预驱动器:DRV8711EVM评估模块基于DRV8711步进电机控制器与NEXFET器件配对,以驱动高电流双极步进电机或两个拉丝直流电机。
  • 电机驱动助推器:BOOSTXL-DRV8301套件是一个基于DRV8301预驱动器的10-A三相无刷直流驱动级,专为那些学习无传感器无刷控制技术和驱动级设计。
  • 数字电源:UCD3138PSFBEVM-027允许电源开发人员设计一个数字控制,移相离线,12v, 360 w功率转换器的应用。
  • 负载点控制:TPS40170EVM-597评估板具有TI的TPS40170同步降压控制器和两个NexFET设备。

德州仪器公司
www.ti.com

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