通过克里斯·弗朗西斯
当处理高速，低噪声，非50欧姆系统，如跨阻放大器，GaAsFET或HEMT可以是一个可行的选择。从表面上看，Avago(以前称为Agilent)的ATF35143等设备具有合适的特性——低噪声、低偏压电流和高带宽。在2GHz时噪声系数为0.4dB，在10GHz以上有可用增益。他们相当耗电，需要15mA的最佳噪声数据。通过增加一些增益和关闭反馈与电阻，使一个跨阻放大器，你可以有一个可观的噪声和跨阻:
模拟的原理图如下所示:
电压控制电压源(VCVS) E1用于表示额外的100 (20dB)电压增益，该增益可能来自标准的高速双极晶体管。V2控制偏置。这些模拟的漏极电流大约是15mA。一个电流源和3pF电容被用来表示一个光电二极管。
然而，HEMT晶体管的一个缺点是泄漏电流大。10µA典型，150uA最坏情况。虽然10µA还不算太糟，但150µA对于超出几千欧姆的任何传输阻抗都可能是个问题。
虽然双极晶体管并不总是高跨阻放大器的首选，由于基极电流，对于低跨阻，他们是可行的。英飞凌的SiGe:C硅锗碳晶体管值得一看，而不是传统的双极晶体管。例如，BFP640ESD在1.9GHz的噪声系数为0.65dB，过渡频率fT为45GHz。虽然噪声数字不如HEMT好，SiGe:C做它在6mA而不是15mA的HEMT数字。直流电流增益高达180左右，这意味着如果集电极电流不太高，在跨阻配置中是可行的。传统的双极射频晶体管的电流增益通常相当低。最重要的是，基极-发射极的泄漏量为10µA，与HEMT相当。
用SiGe:C代替前面示意图中的HEMT，进行一些偏置变化，得到以下结果:
带宽几乎是相同的，主要是因为这是由反馈网络决定的(在现实中使用电容性T网络，因此可以使用实际值)。噪声稍微高一些，但SiGe:C晶体管只偏向3mA而不是15mA的HEMT:
BFP640ESD具有名称所示的ESD保护功能。存在无ESD保护的版本。BFP640只是英飞凌为数不多的SiGe:C晶体管之一。英飞凌提供SPICE模型用于仿真，我发现在使用此类设计时，SPICE模型比S Parameters更有用。
最初，我在SPICE模型在高温下出现了问题，导致了“奇异矩阵”。这在VJC为0.1152的模型中是一个问题。经过一番搜索，得出了“VJE、VJC和VJS的TNOM值必须大于0.4V，以确保温度分析收敛到200℃”的结论。这是Gummel-Poon SPICE模型的要求。英飞凌的支持是有帮助的——它提供了一个新的模型，修改后的VJC大于0.4，这就是你可以在他们的网站上找到的模型(模型的第三版)。找到一家认真对待建模问题的公司也很好。在制造商的网站上有相当多的有缺陷的型号，而且往往如果你报告一个问题，它只是被忽视，或者你得到一个毫无意义的依赖，如告诉你在哪里下载他们的型号!
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