仙飞公司推出了该公司最新一代100V n沟道功率MOSFET的旗舰设备，FDMS86181 100V屏蔽门PowerTrench MOSFET。FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET的第一部分，它在效率、降低电压振铃和降低电源、电机驱动器和其他需要100V MOSFET的应用程序的电磁干扰(EMI)方面提供了重大改进。
Fairchild是近25年前成功的PowerTrench MOSFET的早期先驱，这最新一代的PowerTrench设备继续保持公司在MOSFET技术发展的前沿，领先于竞争对手，并能够满足客户最苛刻的系统电源要求。
新FDMS86181的主要优点是RDSON减少的40％，降低导通损耗及其最小化栅极电荷（QG），从而降低了切换损耗。FDMS86181的异常低QRR几乎消除了导致振铃的电压过冲，这允许减少或消除产品设计中的缓冲器并减少EMI。FDMS86181的这种独特优势允许设计人员降低产品尺寸和材料清单（BOM）成本。
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