STMicroelectronics扩展了其MDMESH™M2系列N沟道功率MOSFET，并引入了一个新的设备系列，可为服务器，笔记本电脑，电信和消费者应用提供高电源效率，特别是在轻负载条件下。使用这些新设备，设计人员可以创建更轻更紧凑的开关电源转换设备，同时更容易满足越来越严格的能效目标。
新600V MDMESH M2 EP器件将ST的经过验证的条带布局与新的改进的垂直结构和优化的扩散过程相结合，以接近理想的开关，具有非常低的导通电阻和最低的可用关断开关损耗。它们为非常高频转换器（F> 150 kHz）量身定制，使其非常适合最苛刻的PSU（电源单元）应用。
该器件提供低开关损耗，尤其是在硬盘和软切换拓扑的轻负载条件下。除了由所有MDMESH M2器件呈现的低栅极电荷（QG）之外，M2 EP器件还具有高达20％的e离开（关闭能量），从而通过相同的百分比硬开关转换器中的关闭开关损耗。这是离开低电流范围的减少提高了轻负载条件下的效率，其中效率 - 认证规则变得越来越苛刻。
关闭波形的增强形状导致谐振转换器中的更高效率和更低的噪声，允许存储更多的能量并重新使用，而不是循环循环循环。
新MDmesh M2 EP系列的主要特点包括
- Qg极低(低至16 nC)
- 优化的电容轮廓轻载条件
- 用于软切换的优化Vth和RG值
- 身体二极管坚固耐用
MDmesh M2 EP系列提供多种封装(PowerFLAT 5×6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP和TO-247)，目标是要求最高效率水平的电源应用。所有设备都在全面生产中，STD15N60M2-EP的价格从1.5美元起，在DPAK包中订购1000个。
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