氮化镓(GaN)是一种技术，可以很好地取代硅mosfet在下一代功率晶体管。当硅接近其性能极限时，氮化镓器件传导性能更好，切换速度更快。
但氮化镓器件的表现与硅功率器件不同。这就是最近出版教科书的原因GaN晶体管用于高效电源转换，第2版。由电力行业撰写的Veteran Alex Lidow博士以及Johan Strydom以及Johan Strydom，Michael de Rooij和David Reusch，这本书是了解基本GaN晶体管结构，特性和应用的实用指南。
在这个短暂的播客中，Alex Lidow谈到了工程师掌握掌握GaN和硅功率器件之间的差异的地区。
Alex Lidow是CEO和联合创始人高效电力转换公司(EPC)。1977年，他加入了国际整流器作为研发工程师。1978年，他共同发明了六角电源MOSFET，该电源晶体管推出了现代电力转换市场。Lidow终于成为国际整改者的首席执行官，并举行了12年的职位。Livow博士在功率半导体技术中持有许多专利，包括功率MOSFET中的基本专利以及GAN FET。In 2004 he was elected to the Engineering Hall of Fame.Lidow博士于1975年赢得了CALTECH的科学学士学位及其博士学位。来自1977年的斯坦福国。
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