p通道晶体管被认为是理想的许多半导体制造应用，但其化学不稳定性和较差的电性能限制了其使用。现在,科学家们东国大学(Dongguk University)已经找到了一种方法，通过在室温下使用大量可用且环保的碘化铜(I)半导体来制造印刷的p通道薄膜晶体管。他们的高能效和成本效益的制造方法，这些晶体管可能导致低成本和新的光电器件的发展。
由Yong-Young Noh教授领导的研究人员专注于开发一种用于TFTs的p型透明半导体，使用一种类似金属卤化物的碘化铜(I) (CuI)，而不是金属氧化物。“CuI的天然丰富和环保的构成元素使其更适合于大型打印透明电子产品。更重要的是，CuI比其他p型氧化物基半导体具有更高的空穴迁移率，”Noh教授解释说。
然而,崔已经很少用作半导体日前因为它洞浓度太高,导致无法控制的电导率(晶体管通常意味着很容易打开和关闭在高速度,也就是说,他们是可切换的从导电绝缘状态)。此外，以溶液为基础的制作薄膜的标准工艺通常需要一种叫做“退火”的热处理，这既费时又耗力。
研究人员发现，可以通过使cui基薄膜更薄来降低其导电性，从而适合于制备tft，这种性能目前在许多应用领域都有需求。此外，这些崔薄膜根本不需要退火，可以在室温下加工。这节省了能源，使它们更具成本效益。
该团队测试了多种加工条件，并制作了各种不同的tft，以确定增强器件性能的来源，并展示了CuI作为薄膜p型半导体的潜在用途。Noh教授总结说:“我们相信这项工作为各种光电器件的室温、低成本、印刷透明p型晶体管打开了闸道。”
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