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MSP430 MCU与能源频道++技术

经过加里特·哈德|2014年6月24日

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德州仪器今天宣布其综合超低功耗FRAM微控制器(MCU)平台,具有所有必要的硬件和软件工具,并支持开发人员减少能源预算,最小化产品尺寸,实现无电池世界。TI的新MSP430FR59x/69x FRAM MCU系列与EnergyTrace++™实时功率分析器和调试器范围从32到128 KB嵌入式FRAM。这些MSP430™mcu是智能电力计量、可穿戴电子、工业和远程传感器、能源收集、家庭自动化、数据采集系统、物联网(IoT)和更多需要超低功耗、灵活的内存选项和智能模拟集成的应用的理想选择。

ti - 400 x400

TI创新的超低泄漏(ULL)专利技术与嵌入式FRAM提供了世界最低的系统功率,有功功率为100 uA/MHz,准确的rtc待机功率为450 nA,在-40至85摄氏度的温度范围内具有行业领先的功率性能。新的弗拉姆号单片机包括各种智能模拟外设,如差分输入模拟-数字转换器(ADC),消耗140 uA 200过度增殖,增强扫描就可以操作的接口流量计量系统在待机时,导致低功率的10倍。此外,集成的8 mux液晶显示器和256位高级加密标准(AES)加速器降低了功耗,材料清单和板空间。

使用EnergyTrace++技术实时调试能量
TI的新能源++技术是世界上第一个调试系统,使开发人员能够为每个外围设备实时分析到5NA分辨率的功耗。这使工程师能够控制其电源预算并优化软件以创建最低的能源产品。该新技术现已用于MSP430FR59X和MSP430FR69X MCU系列,并具有新的低成本MSP430FR5969 Launchpad开发套件。

超越超低功耗与FRAM的独特能力
除了出色的省电优势外,TI的MSP430FR59X / 69X FRAM MCU系列超出开发人员的需求:

  • 无限的耐力。无与伦比的读写速度意味着FRAM mcu的写擦周期比传统的非易失性内存解决方案多100亿倍,超过了产品本身的生命周期。
  • 的灵活性。FRAM具有将开发人员从代码和数据内存之间的传统边界中解放出来的独特能力。用户不再需要被限制在行业标准的闪存与RAM的比率或支付额外的RAM需求。
  • 便于使用。FRAM简化了代码开发。由于FRAM不需要预擦除段并且可以在比特级访问,因此现在可能存在恒定的现行数据记录。无线固件更新不太复杂,更快,更低的能量。

TI超低功率FRAM MCU产品组合的特点和优点

  • FRAM是唯一一种非易失性的嵌入式内存,可以在800uA以下以8MBps的速度写入,比flash快100多倍。
  • 简化了通过PIN引脚兼容性的开发和TI的超低功耗MSP430™FRAM MCU产品平台中的32 - 128KB设备的可扩展产品组合。
  • 利用MSP430ware™简化了MSP430 FRAM和Flash Portfolios之间的代码和外设兼容性的迁移。
  • 更换EEPROM以设计具有更快的写入时间,更低功耗和更高的内存可靠性的安全产品。
  • A 256位AES加速器使TI的FRAM MCU能够保护数据传输。
  • 开发人员的广泛资源包括详细的迁移指南和应用笔记,以便从现有硅迁移到MSP430FR59X / 69x MCU。

开始
开发人员可以通过一个广泛的培训计划开始使用TI的FRAM MCU产品组合,该培训计划提供针对超低功耗平台的所有方面的在线和现场组件。一系列深入的教程视频将帮助开发人员启动设计,并在设计周期的任何阶段使用EnergyTrace++技术和开发工具排除TI的FRAM mcu故障。

德州仪器
www.ti.com.

《华盛顿邮报》MSP430 MCU与能源频道++技术第一次出现在微控制器提示。


提交:电子•电气那能源管理+收获那物联网•IIT•物联网•行业4.0
标记:TI.那texasinstruments

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