根据材料科学家团队的说法，谈到工程单层原子结构时，“介绍差距”将有助于研究人员一次创建人工电子材料一个原子层。
差距是一个小型真空真空，研究人员的二维和分层材料中心的研究人员认为是一种能量屏障，使电子从一层材料易于穿过下一个材料。
“我们仍然试图了解电子如何通过这些分层材料垂直移动，我们认为它应该花费较少的能量，”2DLM中心材料科学与工程教授和2DLM中心副主任的Joshua Robinson说。“由于理论和实验的结合，我们现在知道我们在设计新材料时必须考虑这种差距。”
首次，宾州国家研究人员在石墨烯的单厚底物上繁殖钨酶的单个原子层，其两层之间具有原始界面。当他们尝试将来自顶部钨的电压放入石墨烯层时，它们遇到了令人惊讶的抗性。大约一半的电阻是由间隙引起的，这引入了试图在层之间移动的电子的大屏障大约1个电子伏特。Robinson表示，这种能量屏障在设计下一代电子设备方面，例如垂直隧道场效应晶体管。
对这种类型的材料的兴趣产生了发现单层石墨的方法。宾州国家研究人员使用比早期石墨烯制造商 - 化学气相沉积更可扩展的方法 - 以沉积从碳化硅生长的几层石墨烯的顶部上沉积一层晶体钨酶。
尽管在过去十年中，石墨烯研究爆炸了，但存在许多类似的固体，可以结合以创造具有难以想象的性质的全新的人造材料。
研究人员发现，钨丁胺层在完美对齐的三角岛1至3微米的尺寸上慢慢结合成1厘米正方形的单晶。他们在纳米字母中报道了他们的结果。
罗宾逊认为，有可能将这些晶体生长为工业上有用的晶圆尺寸尺寸，尽管它需要比目前在他的实验室中的较大炉子。
“罗宾逊说：”罗宾逊说：“罗宾逊表示，”尽管石墨烯中的原子没有在钨丁烯烯内的原子上排列，但它允许我们长期增长对齐的层。事实上，有23％的晶格错配，这是巨大的。“
提起：M2M（机器到机器）
