Keysight技术公司。表示已成功测试了利用公司磷化铟（INP）半导体技术的新芯片组。Keysight期望新的芯片组将在2017年帮助提供实时和等效时间示波器，提供超过100 GHz的带宽，其具有明显更好的噪音地板，而不是目前市场上的市场。
InP是一种面心立方晶体结构的二元半导体，类似于GaAs和大多数III-V半导体。InP基材料体系由InP和与InP衬底相匹配的InGaAs和InAlAs合金组成。
InP晶体管比硅、锗和砷化镓器件有更厚的基极和集电极层。这给了他们一个损耗电流密度的峰值性能，(上)和更高的电子速度，更高的电压击穿数字在高电场强度。
为了制造InP半导体，需要用合适的元素比例生长晶格匹配的外延薄膜，以调整晶格参数，使之与衬底的参数相等。例如，与InP匹配的InGaAs晶格含有53%的InAs和47%的GaAs。
InP具有电子有效质量Me * = 0.075m0，并且其导通带结构与GaAs或IngaAs相比，其导电带结构更高的电磁速度。INP设备通常具有极低的噪声数字
并可通过w波段及以上波段使用。通常，InP半导体通过器件结构使用InGaAs、InAlAs和InP层的各种组合，这是此类半导体具有复杂组成的原因之一。
基于INP的双极晶体管通常具有在器件结构内具有异质的功能，具有基础发射器的每一侧的不同半导体材料和基座集电极结合。这使得这些装置的制造变得复杂化，但还促进了无法实现的设备性能。
Keysight表示，使用InP设备的实时示波器还将配备一个新的10位模数转换器(ADC)，允许在超高带宽捕获的信号具有更高的垂直分辨率，每个示波器有多个最大带宽输入通道，以实现紧密的通道同步。
Keysight表示，它使用INP获得更高的带宽，因为工程师使用下一代高速接口，例如即将到来的IEEE P802.3bs 400g，以及TBRABIT相干的光学调制，需要超快速示波器进行电气参数测量。这些技术和其他技术将在验证第五代无线（5G）设计方面发挥关键作用。这些接口将需要高性能，实时和等效时间信号分析能力的需求到100 GHz及以后。随着数据率继续超过56 GB / s NRZ和56 GBaud多级信令，工程师不仅需要更高的带宽，而且还需要更高的垂直分辨率和更低的噪音地板来解决其验证挑战，并且设计了新的芯片组考虑到这一点。
六年前，Keysight发布了其第一个示波器，其芯片组采用了该公司专有的InP半导体工艺。Keysight表示，它仍然是唯一一家生产InP芯片组示波器的公司。
“Keysight正在投资一种全新的技术链以满足客户的下一代测量需求，”Keysight的示波器业务副总裁兼总经理Dave Cipriani说。“我们的目标是同时移动多种性能参数。下一代示波器从80 GHz开始提供带宽并超越100 GHz。它们将具有较低的噪声密度，在紧密同步的多通道系统中提供更高分辨率的测量。客户是衡量更高的波特率，高阶QAM信号还是多通道系统，这些下一代范围都会满足他们的需求。“
《华盛顿邮报》磷化铟芯片有望实现实时传输
带宽高于100 GHz的范围第一次出现在测试和测量提示。
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