Magnachip Semiconductor Corporation（“Magnachip”）宣布批量生产为电源模块的IGBT产品开展，用于高压工业应用。IGBT是称为绝缘栅双极晶体管的Magnachip系列电力标准产品之一。
新的IGBT P系列（“MBW100T120PHF”）具有1200V和100A的高电流和高压能力，通过使用现场停止沟槽技术实现了1.71V的低饱和电压VCE（SAT）和低开关损耗。MBW100T120PHF允许设计者在改进的开关频率，这使得能够减少电容器和在电路电感器件的尺寸和成本操作的设备。
对于产品设计人员来说，这转化为高功率密度，小尺寸和低材料成本。MBW100T120PHF可操作多达四倍的额定电流，宽阔的SOA（安全操作区域）非常适合需要高功率的工业应用。另外，通过优化芯片内部的电阻，MBW100T120PHF使平行结构设计能够同时操作多个芯片。
预计MBW100T120PHF将通过降低高压工业应用的DC-AC电源转换的功率损耗来提高应用的整体系统稳定性和能量效率，例如10kW + 3相电机和光伏逆变器系统。
“我们很高兴推出我们最新的IGBT的P系列产品，用于工业电源模块，具有高电压和1200V和100A的大电流能力，” MagnaChip公司的CEO YJ Kim说。“这一IGBT P系列产品的引入将进一步扩展我们的IGBT电力产品组合，并提高我们作为高压电力标准产品的市场领导者的声誉。”
提交：工业自动化那电容器
