近日，Navitas半导体公司发布了全球首款氮化镓(GaN)功率芯片，采用其专有的AllGaN单片集成650V平台。将氮化镓功率场效应晶体管与氮化镓逻辑和驱动电路相结合，可以实现比现有硅电路高10 -100倍的开关频率，使电力电子产品更小、更轻、成本更低。新一代高频节能转换器正在为智能手机和笔记本电脑充电器、OLED电视、LED照明、太阳能逆变器、无线充电设备和数据中心启用。
首席执行官Gene Sheridan补充道:“电力电子上一次在密度、效率和成本方面经历了戏剧性的改善是在70年代末，当时硅mosfet取代了双极晶体管，实现了从线性稳压器到开关稳压器的过渡。此后，密度提高了10倍，功率损耗减少了3倍，成本降低了3倍。类似的市场颠覆即将发生，GaN功率芯片将使低频率硅基电力系统被高频GaN取代，在密度、效率和成本方面都将大幅提高。对于这个行业来说，这是一个激动人心的时刻。”
Navitas半导体
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