在1879年，Edwin Herbert Hall检测到和描述的霍尔效应，当在磁场存在下，当在导体上出现小电压时，出现了当在导体上出现的小电压。该领域横向于导体中的电流和磁通量线，其又彼此垂直于三维空间。
感应电场与电流密度和外加磁场的乘积之比称为霍尔系数。
霍尔效应传感器就利用了这种现象。它对磁场环境的变化作出反应，并能够输出有关磁场强度以及它自身与磁场的距离和位置的信息。
在其最常见的形式中，霍尔效应传感器是P型半导体材料的薄矩形板。附近的磁场导致磁通量，这使得电荷载流子，电子和孔迁移到半导体的相对侧。底线是设备上存在电压差。当在半导体材料附近没有磁场时，当它们从一个碰撞移动到下一个碰撞时，电荷载波（电子，孔或离子）以直线行进。
然而，在存在磁场时，这些载体遵循弯曲的轨迹。结果，它们在板坯的两个相对面上积聚。由于这些浓度，在垂直于电源施加的电压差的材料上出现小但可触及的电压差。可以测量和校准该电压以指示磁场的存在和位置。作为传感器，该装置具有许多应用并被广泛使用。
在大多数实施方案中，足够大的南磁极导致霍尔效应传感器输出所谓的霍尔电压。它与附近磁场的强度成正比。通常，霍尔电压很小，在微伏范围内。但这种级别足以触发集成放大，以产生可用的电信号。
霍尔传感器的一个常见应用是在伺服电机的输出端，以提供速度和位置信息，实现闭环控制。霍尔效应传感器可以制成密封单元，以高度抗振动、热、湿和任何可能出现在恶劣环境中的污染。
《华盛顿邮报》霍尔效应传感基础知识第一次出现在测试和测量提示。
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